本文標題："熔融態(tài)硅的石墨坩堝加工技術簡介"
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熔融態(tài)硅的石墨坩堝加工技術簡介
現(xiàn)代的切克勞斯基拉單晶工藝是在1917年切克勞斯基發(fā)明的金
屬單晶生長技術基礎上發(fā)展而成的。它的基本程序是，將頂端夾有
單晶硅籽晶的夾持桿伸人到含有熔融態(tài)硅的石墨坩堝中，籽晶部分
浸入熔融硅。然后一面旋轉，一面慢慢地拉出籽晶，一般拉取速度
約為每分鐘幾毫米。整個過程必須在氬氣氛保護下進行。圖13—3
示出了切克勞斯基拉晶爐的結構示意圖。該爐可以用射頻(RF)功率
加熱，也可以用一般的電源加熱。在加熱熔化多晶硅過程中，可以
添加一定量的摻雜雜質，使生長的單晶具有設計好的n型或P型性質
。摻雜的數(shù)量，在單晶棒的徑向截面上是恒定的，但在沿棒的軸向
方向上是有所不同的，好在這種數(shù)量的變化是可預知的，所以它不
會對微電子器件的生產(chǎn)造成嚴重問題。
切克勞斯基工藝生長的晶體硅純度不是很高，有些時候，例如
生產(chǎn)功率器件時，因為需要材料具有很高的載流子遷移率，所以要
求硅有更高的純度，這時切克勞斯基法已不大適用。可以采用的方
法之一是懸浮區(qū)熔技術，它的生產(chǎn)成本較高
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