本文標題："顯微衍射技術(shù)電子圖象-晶粒尺寸小于15-20μm"
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顯微衍射技術(shù)電子圖象-晶粒尺寸小于15-20μm
在多晶體中，各個晶粒的取向是通過蝕坑，或由顯微
衍射技術(shù)得到的電子圖象確定。立方對稱的主要平面
中蝕坑的典型形狀。但如果晶粒尺寸小于15-20μm，
則很難得到清晰的蝕坑.為此目的而使用電子顯微鏡是很費力的。
對很大晶粒(超過0. 5mm)的取向可在勞埃照片或從單個大
晶粒上獲得的反射線勞埃照片上測定。所確定的取向在相應
的極圖上用圓點來標注。在極圖上，這些圓點分布的花樣表征織構(gòu).
從不同晶粒中取得的大量勞埃照片使極圖更可靠的表征織構(gòu)類型。
然而這個方法相當費力。
在這方面，建立在測量單個晶粒的反射強度基礎上的X射線
方法在再結(jié)晶分析中獲得更廣泛的應用.
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